(IGFET) Feldeffekttransistor, bei dem eine extrem hochohmige (bis zu einer Mrd. G() Isolierschicht den Gate und Source-Drain-Kanal trennt. Häufig besteht diese Isolierung aus Metalloxid (siehe MOSFET). Die 䵟erst dünne Schicht ist sehr empfindli...
Gefunden auf
https://www.computer-automation.de/lexikon/?s=2&k=I&id=15423&page=1
(IGFET) Feldeffekttransistor, bei dem eine extrem hochohmige (bis zu einer Mrd. G() Isolierschicht den Gate und Source-Drain-Kanal trennt. häufig besteht diese Isolierung aus Metalloxid (siehe MOSFET). Die uerst dnne Schicht ist sehr empfindlich gegen ESD, so dass Bauteile in dieser Technologie (auch ICs) gegen statische Auf...
Gefunden auf
https://www.elektroniknet.de/lexikon/?s=2&k=I&id=15423&page=1
Keine exakte Übereinkunft gefunden.
